以钼代钨，进入新阶段。
德国默克近日宣布，将二氯二氧化钼（MoO ₂ Cl ₂）前驱体的应用范围从 NAND 闪存拓展至 DRAM 与逻辑芯片，并在韩国忠清北道阴城郡建成钼前驱体工厂，与京畿道安山的材料输送系统基地一体化配套。默克电子薄膜材料业务高级副总裁 Bing Han 在首尔表示，随着器件结构微缩，铜与钨的导电性能将遭遇瓶颈，这会推动钼获得更广泛采用。对行业而言，事件看点不只是材料商扩产，而是"以钼代钨"的替换周期正从 NAND 字线向更广的器件类型延伸。
替换发生的前提，是钨在高层堆叠 NAND 中触到物理极限。3D NAND 通过垂直堆叠数百层电荷存储单元与字线来扩容，层数越多，字线越窄，钨的电阻随之上升，信号传输被拖慢。钼在微缩后结构中电阻更低，业内测算其纳米尺度电阻率约为钨的六成，且可在无阻挡层条件下沉积，适配原子层沉积工艺，节省 30% 至 40% 的结构厚度。SemiAnalysis 梳理显示，堆叠层数突破 300 层后，钨字线在电阻、化学兼容性与深孔填充三方面均触及物理极限，钼的角色从候选材料变为必需材料。
主要存储厂商的行动已印证这一判断。三星电子 2024 年在 200 层级 NAND 导入钼，SK 海力士在 300 层级 NAND 替换部分字线材料，其 375 层 NAND 已完成生产验证、计划 2026 年底量产；美光 2025 年通过泛林 ALTUS Halo 设备启动钼字线大规模量产。三家存储原厂均已转向钼工艺。设备端，泛林、东京电子、应用材料都已提供钼沉积设备；据 SemiAnalysis 估计，钼沉积设备市场 2027 年销售额或超 10 亿美元。
钼的下一站是 DRAM 与逻辑芯片。在逻辑器件中，钼主要瞄准接触层与局部互连：传统钨接触层在先进节点面临电阻与填充挑战，钼无需阻挡层且微缩表现更好。应用材料 2026 年 2 月发布"逻辑接触层由钨转钼"技术，称 2nm 及以下先进逻辑节点已开始采用钼接触；其新一代钼原子层沉积系统可将接触电阻较现有钨方案再降约 15%。互连间距持续缩小使铜电阻率问题凸显，业界正评估钌、钴、钼等候选材料，钼以无需阻挡层、热稳定性好受到关注。DRAM 方面，钼被纳入未来字线材料的评估范围。若钼在两类器件中落地，其用量与市场空间将远大于当前 NAND 字线场景，这正是默克把扩张方向指向 DRAM 与逻辑的产业背景。
材料供应格局并非默克一家独大。存储客户钼前驱体供应商中，除默克外还有液化空气与英特格，韩国 SK Specialty 为潜在供应商；国内雅克科技通过收购韩国 UP Chemical 切入该赛道，覆盖三星、SK 海力士等客户。默克阴城新厂毗邻 2023 年收购的 M Chemicals 厂区（原产铪基高 k 介质前驱体），2024 年动工、两年建成，产能覆盖韩国客户全部需求。由于钼前驱体常温下为固态、需加热升华输送，默克以"前驱体 + 输送系统 + 安装服务"打包交钥匙供货，安山基地 CHEMKEEPER Vapor 200 输送系统可保障物料利用率超 99%。
上游资源与价格同样进入视野。中国是全球最大的钼生产国，产量约占全球四成以上；2026 年 7 月，钼价一度创下三年新高，供需偏紧叠加半导体材料转型需求是主要推手。同时，钨前驱体（六氟化钨）供给曾现波动，客观上也加快了存储厂商评估钼路线的进度。材料切换需要长期验证，但行业人士认为，一旦验证完成、建立信任，替换进程会明显加速，先进微缩结构中尤其如此。
免息股票配资仍需注意的是，钼向 DRAM 与逻辑的扩散尚处验证期：两类器件对材料纯度、台阶覆盖与良率的要求与 NAND 不同，能否复制 NAND 经验，取决于验证进度与成本控制。默克预判未来五年半导体材料消耗量可能翻倍，并以"本地服务本地策略"在韩国、美国等地就近布局产能。对行业而言配资查询是否银行托管，这一轮材料周期的真正变量在于：存储层数竞赛能否延续、逻辑先进节点是否全面采纳钼方案，以及前驱体与设备供应能否支撑规模化放量。
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