
6月29日,韩国政府宣布预计将在西南部建设四座芯片厂,投资约800万亿韩元,未来15年将在新一代存储、边缘人工智能、国防等芯片领域投资至少30万亿韩元。韩国官员表示,预计五年内将DRAM生产能力翻倍,预计全球内存市场将在5年内增长四倍。
三星电子和SK海力士当天也将发布大规模投资计划,预计这两大存储企业今后十年的投资金额有望超过1000万亿韩元(约4.4243万亿元人民币)。
有业内资深人士向第一财经记者表示,韩国DRAM(动态随机存取存储器)龙头企业会扩大投资,SK海力士的DRAM投资预计会翻倍。
从企业动向看,SK海力士计划7月10日在纳斯达克上市美国存托凭证(ADR),其6月24日公告称,公司将发行规模最高达45.45万亿韩元(约2001亿元人民币)的存托凭证,所募资金将用于龙仁半导体集群一期晶圆厂、清州P&T7先进封装厂建设及设备投资。
三星电子第六代高带宽内存(HBM4)今年用4个多月已实现销售额突破10亿美元,预计截至6月底其HBM4销售额有望突破12亿美元。三星电子6月23日还发布了通用闪存存储(UFS)5.0解决方案,计划第四季度起投入量产。
过去一周,韩国存储芯片龙头企业的股价和韩国股指都经历冲高回落。6月29日截至12点左右,三星电子、SK海力士的股价继续向下回调,分别下跌5.15%至322000韩元/股,下跌3.85%至2570000韩元/股,韩国KOSPI指数下跌2.02%至8241.14点。
随着存储涨价,有美国投行预计2027年单座AI算力数据中心资本开支整体将增加30%。存储芯片持续涨价推高上游盈利,但下游云厂商投资回报持续走低,市场担心云厂商后期能否收回投资,未来会不会削减存储采购长单。
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目前,人工智能(AI)大模型应用加快普及,由此推动的算力发展及存储需求增长的趋势并没有改变。群智咨询(Sigmaintell)预计,2026年全球DRAM的需求约400亿GB,行业总体需求仍然维持约20%以上增长,供给端的产能增速目前仍然落后于需求,现在判断DRAM、NAND的供需出现拐点仍为时过早。
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王珍
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