亏钱效应 今年一季度全球NAND市场规模环比接近翻倍，科创芯片设计ETF天弘（589070）标的指数逆市上涨近1%

今日，三大指数集体下跌，截至发稿上证综指下跌 0.38%，深证成指下跌 0.41%，创业板指下跌 0.8%。上证科创板芯片设计主题指数 ( 950162.SH ) 上涨 0.78%，该指数成分股中，概伦电子上涨近 5%，唯捷创芯、普冉股份与澜起科技上涨超 3%，佰维存储上涨近 3%。

相关 ETF 方面，科创芯片设计 ETF 天弘（589070）截至发稿成交额为 3221.18 万元。

科创芯片设计 ETF 天弘（589070）紧密跟踪上证科创板芯片设计主题指数，上证科创板芯片设计主题指数选取科创板内业务涉及芯片设计领域的上市公司证券作为指数样本，以反映科创板芯片设计领域上市公司证券的整体表现，"含芯量"满满。

消息面上，周三（6 月 3 日），市场调研机构 Counterpoint 发布了 NAND 存储市场追踪报告：受人工智能（AI）需求推动，该市场在 2026 年第一季度飙升至创纪录的 460 亿美元。具体数据显示，2026 年第一季度全球 NAND 闪存存储市场营收达到 460 亿美元，较 2025 年第四季度增长 90%，与去年第一季度相比，增幅达到惊人的 246%，并且超过了 2023 年全年。

华泰证券认为，芯片设计服务市场受 AI 硬件性能与成本优化需求驱动持续高景气。定制芯片业务进入加速周期，科技巨头通过自研 CPU 架构降低对外依赖，AI 加速器与车规芯片设计突破推动产业链向自主化、高性能化演进。